-
1 захват дырок
электрон. cattura di buchi -
2 захват
м.1) ( действие) captazione f; физ. cattura f2) ( устройство) pinza f; griffa f; presa f; morsetto m; tenaglia f (см. тж захваты)- захват без деления
- вильчатый захват
- грейферный захват
- диссоциативный захват
- дистанционный захват
- захват для подъёма листа
- захват дырок
- захват инфракрасным лучом наведения
- захват ионов
- канатный захват
- клещевой захват
- захват К-электрона
- захват манипулятора
- захват нейтронов
- орбитальный захват
- паразитный захват
- пневматический захват
- приводящий к делению захват
- радиационный захват
- резонансный захват
- рельсовый захват
- захват с делением
- захват сигнала
- захват с излучением
- упругий захват
- фотомагнитный захват
- захват фотонов
- захват цели
- захват частиц
- челюстной захват
- эксцентриковый захват
- захват электронов
- ядерный захват
См. также в других словарях:
ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… … Физическая энциклопедия
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
ФОТОПРОВОДИМОСТЬ — фоторезистивный эффект, увеличение электропроводности полупроводника под действием электромагн. излучения. Впервые Ф. наблюдалась в Se У. Смитом (США) в 1873. Обычно Ф. обусловлена увеличением концентрации подвижных носителей заряда под действием … Физическая энциклопедия
РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЦЕНТРЫ — дефекты или примесные атомы (ионы) в кристаллич. решётке, на к рых происходит рекомбинация электронно дырочной пары (см. Рекомбинация носителей заряда). Процесс осуществляется путём последоват. захвата электрона и дырки центром. Энергетич. уровни … Физическая энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКИ — в ва, характеризующиеся увеличением электрич. проводимости с ростом т ры. Хотя часто П. определяют как в ва с уд. электрич. проводимостью а, промежуточной между ее значениями для металлов (s ! 106 104 Ом 1 см 1) и для хороших диэлектриков (s ! 10 … Химическая энциклопедия
РЕКОМБИНАЦИЯ — (от лат. re снова, опять и позднелат. combinatio соединение), 1) Р. ион электронная, элем. акт воссоединения положит. иона (с зарядом Z+1) и свободного эл на, приводящий к образованию иона с зарядом Z. В частном случае (при Z=0) образуется нейтр … Физическая энциклопедия
Термолюминесцентное датирование — Термолюминесцентное датирование физический метод датирования объектов минерального происхождения путём измерения энергии, излученной в результате нагрева образца (термолюминесценции). Содержание 1 Общее описание метода 2 Физика 3 … Википедия
Dead Space — У этого термина существуют и другие значения, см. Dead Space (значения). Dead Space Обложка PC версии игры Dead Space Разработчик Visceral Games Издатель Electronic Arts Локализато … Википедия